开源证券：异质结行业深度报告：HJT系列报告二：硅片薄片化+吸杂，可较好实现HJT电池降本增效

硅片薄片化及吸杂为HJT重要降本增效方式HJT降本增效方式主要包含“三减一增”+提效。减少银浆消耗和减少主栅线银耗主要是降低金属化成本，减少硅料用量主要为减少硅成本，增加光吸收量为减少光学损失，提效可摊薄各环节通量成本。2022年底HJT电池中硅成本占比71%，为HJT电池成本第一大项，通过硅片薄片化可直接降低硅成本，通过吸杂工艺可降低硅成本和提升转换效率。HJT适用更薄硅片，100元/kg硅料价格下每减薄10μm可降本1.6分钱/WHJT电池为全对称结构，制造工艺流程简单，且由于非晶硅层存在制造过程最高温度不超过200℃。PERC和TOPCon电池最低需要850/900℃，且由于均为非对称电池结构，烧结过程由于内部应力不一致容易导致硅片翘曲，增加电池及组件失效风险，因此薄片化潜力相对较小。HJT电池由于对称结构+低温工艺，不容易引起硅片翘曲更适合薄片化降本。HJT电池通过薄片化，在多晶硅致密料价格约200元/kg下，硅片每减薄10μm在25.5%转换效率下可降低硅成本约0.016元/W，若硅料价格回落到100元/kg，对应0.008元/W。HJT导入硅片吸杂可同时降本提效，并提升整体