海通国际：碳化硅（SiC）：新一代半导体材料，打开新能源车百亿市场空间

碳化硅：前途光明的第三代半导体材料。我们认为下游电力电子领域向高电压、高频等趋势迈进，碳化硅材料的特性决定了它将会逐步取代传统硅基，打开巨大的市场空间。由于碳化硅产业链涉及多个复杂技术环节，将会通过系列报告形式对其进行完整梳理。第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，广泛应用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器件。国外厂商多以IDM模式布局，国内企业专注单个环节。碳化硅产业链依次可分为：衬底、外延、器件、终端应用。国外企业多以IDM模式布局全产业链，如Wolfspeed、Rohm及意法半导体（ST），而国内企业则专注于单个环节制造，如衬底领域的天科合达、天岳先进，外延领域的瀚天天成、东莞天域，器件领域的斯达半岛、泰科天润。新能源车领域将会为SiC功率器件带来巨大增量。在新能源车上，碳化硅器件主要使用在主驱逆变器、OBC（车载充电机）、DC-DC车载电源转换器和大功率DCDC充电