华金证券：走进“芯”时代系列之七十六—HBM之“设备材料”深度分析：HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点

HBM加速迭代，市场空间足：HBM突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成为AI芯片最强辅助，我们认为HBM将持续迭代，I/O口数量以及单I/O口速率将逐渐提升，HBM3以及HBM3e逐渐成为AI服务器主流配置，且产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐步增加，预计HBM4于2026年发布。2024年全球HBM市场有望超百亿美元，市场空间足，国产供应链加速配套。 HBM3海力士率先引入MR-MUF，HBM4剑指混合键合：当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠（TSV一般由晶圆厂完成，封测厂可在堆叠环节进行配套），但随着堆叠层数的增加散热效率很差，TCB不再满足需求，海力士率先引入MR-MUF回归大规模回流焊工艺，芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料，导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计HBM4会引入混合键合HybridBonding方案，取消互连凸块。我们预判当前HBM主流依然是TCB压合，MR-MUF方案为过渡方案，未来混合键合是大趋势。液态塑封料LMC依然是晶圆级封装至关重要的半导体材料之一。 混合键合与TSV是3D封装的核心，HBM“连接”与“