《6、GaN-基LED歐姆接觸與反射層金屬概論》

高功率GaN-基LED製程專論 Advanced fabrication process for High power GaN-based light emitting diodes
王水进 教授 成大电机系 微电子研究所
課程大綱
1.基礎光電半導體元件物理
2.LED操作原理與應用
3.GaN-基LED元件設計專題
4.GaN-基LED製程概論
5.白光LED發展近況
6.提升GaN-基LED必v與效能對策
7.高必vGaN-基LED之製程技術開發

與國外相關課程之優越處比較:
能夠循序漸進了解基礎半導體元件物理、LED操作原理，以及暸解白光LED的發展近況，並且深入介紹新穎高必vLED之製程開發。

碩士先修課程:半導體元件物理、半導體發光元件

本課程重點:

循序漸進介紹固態半導體發光原理、基礎光電半導體元件物理、LED操作原理與應用、GaN-基LED結構與光電特性、GaN-基LED製程(包括磊晶、元件製程與封裝製程)簡介、白光LED發展近況與高必vLED之製程開發。
全面熟悉高必vGaN-基LED製程技術及提升必v與效能之對策。

參考書籍:
1. Light-Emitting Diodes E. Fred Schubert
2. The Blue Laser Diode Nakamura