华安证券：国防军工深度报告：第三代半导体，能源转换链“绿芯”材料

主要观点：第三代半导体可有效降低能源损耗第三代半导体主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点。宽禁带半导体契合了电力电子、光电子和微波射频等领域的节能需求。在电力电子领域，碳化硅功率器件相比硅器件可降低50%以上的能源损耗，减少75%以上的设备装置，有效提升能源转换率。在光电子领域，氮化镓具有光电转换效率高、散热能力好的优势，适合制造低能耗、大功率的照明器件。在射频领域，氮化镓射频器件具有效率高、功率密度高、带宽大的优势，带来高效、节能、更小体积的设备。新能源及通讯市场将为第三代半导体创造百亿市场规模和Si、GaAs等第一、二代半导体材料相比，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）拥有击穿电压高、禁带宽、导热率高、电子饱和速率高、载流子迁移率高等优点，是制作高频、高温、抗辐射器件的优异材料。SBD器件领域，碳化硅基SBD器件相较硅基SBD器件具有耐高压、高温不易失控及损耗小等特点；MOSFET器件领域，碳化硅基MOSFET器件相较硅基IGBT器件具有损耗小、导通电阻低及耐高压等