华安证券：第三代半导体行业报告（一）：行业解析：千亿级黄金赛道，中国“芯”蓄势待发

发展背景：第三代半导体衬底材料改变引领半导体新时代硅衬底占据主要市场，第三代半导体有望掀起底层材料端革命。第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面氮化镓GaN、碳化硅SiC性能更为出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体。虽然硅（Si）是目前技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料，但近年来硅材料的潜力已经开发殆尽，在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体衬底材料市场有望迎来快速发展机遇，待成本下降有望实现全面替代。发展前景：千亿市场，第三代半导体渗透率逐年提升我国第三代半导体整体产值超7100亿元，2023年第三代半导体材料渗透率有望接近5%。从整体产值规模来看，根据CASA数据，我国第三代半导体整体产值超过7100亿。其中，半导体照明整体产值预计7013亿元，受新冠疫情影响较2019年下降7.1%；SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%；GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.