渤海证券：机械设备行业专题报告：刻蚀设备国产替代空间广阔，看好长期发展前景

技术层面，干法刻蚀是目前主流，原子层刻蚀为未来方向刻蚀技术按工艺分类可分为湿法刻蚀和干法刻蚀，由于在刻蚀率、微粒损伤等方面具有较大的优势，干法刻蚀是目前主流技术。按被刻蚀材料特性不同，目前常用的方法可分为离子束刻蚀、等离子体刻蚀和反应离子刻蚀，其中电容性等离子体刻蚀（CCP）和电感性等离子体刻蚀（ICP）两种刻蚀设备基本覆盖目前主要的刻蚀应用。不过随着半导体制程的不断缩小，受光波长限制，关键尺寸无法满足要求，必须采用多重模板工艺，重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽，使得薄膜沉积和刻蚀次数显著增加，10纳米工艺和7纳米工艺所需刻蚀步骤更是超过100次。原子层刻蚀能够精密控制被去除材料量而不影响其他部分，能较好解决等离子刻蚀刻蚀速率差异与下层材料损伤等问题，未来有望发展为新一代主流刻蚀技术。市场层面，刻蚀设备行业集中度高，发展空间广阔2021年中国大陆以296亿美元设备销售额连续第二年成为全球半导体设备最大市场，目前全球半导体设备市场主要被国外企业占据，2021年全球前十五大半导体设备厂商排名中仅有ASMPacificTechnology来自中国香港，排名第14位。设备投资额方面，