德邦证券：电子行业深度：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点

SiC具有优秀的材料特性。碳化硅（SiC）是一种化合物半导体材料，被称为第三代半导体材料。由于SiC具有宽禁带宽度，从而导致其有高击穿电场强度、低本征载流子浓度，使得SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频场景，且可以缩小系统体积。衬底是产业链核心环节。SiC产业链主要包括衬底、外延、器件制造、封测等环节，而衬底的成本占比较高，是核心环节。根据衬底电阻率的不同，SiC衬底可以分为导电型、半绝缘型衬底，分别应用于功率器件、射频通信领域。国产厂商目前在导电型衬底领域市占率较低，但山东天岳在半绝缘型衬底领域占有一席之地。随着各厂商产能的扩充，SiC衬底价格在逐步下降。SiC应用方兴未艾。根据Yole的预测，2027年全球SiC器件市场规模达到63亿美元，较2021年的复合增速为34%，其中汽车SiC市场预计增长到50亿美元，占比提升到79%。除汽车之外，能源、工业也是SiC的重要应用下游。随着特斯拉在Model3的主逆变器中首次采用全SiC功率器件，越来越多的厂商开始发布搭载SiC器件的车型。除汽车领域外，SiC器件也应用到光伏逆变器、轨交牵引逆变器