东方证券：电子行业深度报告：新能源东风已至，碳化硅御风而起

核心观点碳化硅（SiC）性能优异，成本有望持续下降。SiC半导体性能优异，其禁带宽度是硅的3倍，击穿电压是硅的8-10倍，导热率是硅的3-5倍，电子饱和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。6英寸SiC衬底已成主流，8英寸样品也陆续开始推出。未来随着大直径衬底占比提升、衬底和外延晶片质量提高、单晶平均可用厚度持续增加以及扩产导致规模效应增大，SiC产业链各环节成本有望持续降低，并实现对于下游领域的加速渗透。海外头部厂商占据产业链主要份额，国内企业迎来广阔发展空间。SiC衬底及外延片领域，Wolfspeed凭借先发优势和规模优势一家独大；器件领域，欧美日企业领先，整体市占率达到95%，仅意法半导体一家就占据41%。国内企业也在积极研发和探索SiC器件的产业化，部分产业节点已有所突破。其中三安光电已形成在半导体化合物高端领域的全产业链布局；天岳先进在半绝缘SiC衬底的市场占有率连续三年保持全球前三；天科合达在国内率先成功研制6英寸SiC衬底，并已实现2-6英寸SiC晶片的规模化生产和器件销售。新能源