华安证券：第三代半导体行业报告（二）：产业链解析：碳化硅东风在即，产业链爆发拐点将至

衬底材料改变标志着半导体更新换代。第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更为出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，待成本下降有望实现全面替代。从产业链角度分析，碳化硅行业主要可分为衬底、外延和器件三个重点环节。其中，衬底在产业链中价值量占比最高，接近50%，国内外市场主要由WolfSpeed、II-VI、山东天岳等SiC衬底制造厂商占据。外延价值量占比23%，国内市场领先企业包括东莞天域和瀚天天成等SiC外延制造厂，国外市场外延环节主要被衬底及IDM厂商包揽。器件价值量占比22%，国内外市场主要由布局SiC器件的传统功率半导体龙头厂商占据。衬底：制备成本高短期制约SiC规模化发展，大尺寸化加速降本，行业爆发拐点将至。根据后续生长外延层的不同，SiC衬底可以分为半绝缘型衬底（SiC衬底+GaN外延），主要应用于5G通信、卫星等高频需求领域，以及导电型衬底（SiC衬底+SiC外延），主要应用于新能源汽车、光