安信证券：市场空间巨大，SiC碳化硅国产化趋势加速

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅 基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料：碳化硅材料的禁 带宽度大约为硅材料的三倍，且硅材料的极限温度不足碳化硅材料的 二分之一，这些物理特性使得碳化硅材料更好地应用于高压、高温环 境。此外，相比于硅基器件，同性能的碳化硅器件尺寸更小、重量更 轻、能量损耗更少。在高温、高压、高频领域，碳化硅将逐步替代硅 器件，如 5G 通讯基站、轨道交通、特高压输电、新能源汽车等领域。 碳化硅优异的性能符合下游市场的新兴需求，以新能源汽车为例，采 用碳化硅器件可延长电动车的行驶里程、缩短电动车的充电时间以及 扩大电池容量等，越来越多的新能源汽车企业布局碳化硅器件使用。