国金证券：东微半导（688261）-高压MOS龙头，TGBT开启新成长曲线

东微半导(688261)投资逻辑高压MOSFET龙头，深度受益新能源快速发展。公司深耕高性能功率器件领域，产品主攻工业和新能源汽车相关等中大功率的应用。短期来看，我们看好新能源车、充电桩、光伏及储能逆变等下游的旺盛需求；中长期来看，公司凭借差异化设计、丰富的料号和出色的产品性能有望在和国内同行的竞争中保持领先优势，在国产替代进程中实现市占率的提升。高压超级结、中低压屏蔽栅MOSFET性能优异，国产替代市场空间广阔。高压超级结MOSFET主要下游应用为直流充电桩、OBC、光伏储能逆变器、服务器电源等，中低压屏蔽栅MOSFET主要下游应用为电动工具、逆变器、UPS电源、消费电子充电器等。根据芯谋研究，2021年MOSFET国产化率为30.5%，预计随着国产替代的加速，至2026年MOSFET国产化率将达64.5%。1H22公司高压超级结MOSFET营收为3.64亿元，占比78.05%。我们预测2022~2024年，公司高压超级结MOSFET营收为8.85、11.38和14.11亿元，同比+55.57%、+28.68%、+23.95%。技术创新丰富产品线，IGBT开启新的成长曲线。公司创新设