国开证券：存储行业专题报告：传统终端需求放缓HBM成新驱动

内容提要： 受传统终端需求影响DRAM和NAND价格再度走低。受下游库存高企及需求疲软的影响，23年上半年存储产品经历了量价持续下跌，而后随着存储厂商主动减产及终端复苏，下游库存水位逐渐回归正常，23年9月DRAM价格开始回升，后续期间小幅波动，直至24年7月再度走低，截至24年12月31日，通用PCDRAM产品（DDR48Gb1Gx8）现货平均价较7月高点下跌20.44%；通用NAND产品（128Gb16Gx8MLC）23年10月-24年3月连续上涨，后续期间价格基本稳定，直至9月重回跌势，截至24年11月底，128Gb16Gx8MLC合约价较8月高点下降56%。 AI及HPC等驱动下HBM需求快速增长。受益于AI驱动下HBM、DDR5等需求拉动，2024年前三季度全球存储市场整体呈现增长，据CFM闪存市场数据，2024年前三季度全球存储市场同比增幅达96.8%。存储芯片龙头海力士、三星和美光在HBM市场形成垄断格局；同时HBM3e平均售价约为传统DRAM产品的3-5倍，随着英伟达H系列、B系列等算力芯片的迭代升级，HBM3e产能亦将持续扩张。 我国为全球最大DRAM市场近期DDR5