华福证券：电子行业HBM专题研究二：逐鹿顶尖工艺，HBM4的三国时代

投资要点： 算力需求澎湃催化HBM技术快速迭代。目前HBM已然成为AI服务器、数据中心、汽车驾驶等高性能计算领域的标配，未来其适用市场仍在不断拓宽。2024年的HBM需求位元年成长率近200%，2025年可望再翻倍。受市场需求催化，当前HBM的开发周期已缩短至一年。针对HBM4，各买方也开始启动定制化要求，未来HBM或不再排列在SoC主芯片旁边，亦有可能堆叠在SoC主芯片之上。垂直堆叠技术在散热，成本，分工等方面也带来了新的挑战。受先进制程技术和资金投入规模的限制，目前，只有SK海力士、美光和三星有能力生产兼容H100等高性能AI计算系统的HBM芯片。23年海力士市场份额为53%，三星市场份额为38%，美光市场份额为9%。海力士具有先发优势，但三星有望通过其一站式策略抢占市场份额。 HBM具有三大堆叠键合工艺：MR-MUF，TC-NCF与混合键合。目前只有SK海力士使用MR-MUF先进封装工艺。三星与美光目前采用的为TC-NCF技术。各家厂商也在考虑在新一代HBM产品上应用铜-铜混合键合技术。在设备端，混合键合设备在单机价值量上为所有固晶机中最高，行业头部领先优势明显。预计存储领域未来