开源证券：有色金属行业点评报告：三星NAND材料引入新元素，钼下游或迎增量

事件：三星拟在第9代V-NAND的金属布线艺过程中应用钼元素 近日，三星宣布其第九代V-NAND1TbTLC产品开始量产，该产品拥有当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，在位密度、功耗、数据输入/输出速度等方面都比第八代产品更有优势。同时，三星拟在新一代V-NAND的金属布线工艺中使用钼金属替代钨金属，并已引进5台钼沉积机用于该工艺，预计未来一年内将再引进20台同类设备。钼具有高电导率、低电阻和优异的耐久性等特点，以上特性将使得V-NAND闪存在数据传输速度、存储密度和耐用性等方面实现显著提升。随着钼技术的逐步普及和成熟，它还有望成为未来NAND闪存制造中的一个重要趋势，推动整个行业的技术进步和发展。 对比传统的钨材料，钼金属更符合NAND技术发展趋势 NAND技术是指NAND型闪存（NANDflashmemory）技术，它是一种非易失性存储技术，用于制造高容量的数据存储设备，当前的技术方向是通过能构建更多层数的3DNAND工艺以提高NAND的性能，并广泛应用于便携式电子设备和数据存储。其中，金属栅极作为晶体管的一部分，主要功能是控制晶体管的开关状态，由于金属栅极材料通常具有较低的电