山西证券：电子专题报告：光刻机国产化迫在眉睫，关注产业链投资机会

投资要点： 光刻机——工业皇冠上的明珠。芯片制造流程大致包括晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试、封装等重要步骤。其中，光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。光刻原理是将高能雷射光穿过光罩（reticle），使光罩上的电路图形透过聚光镜（projectionlens），将影像缩小到十六分之一后成像（影像复制）在预涂光阻层的晶圆（wafer）上。光刻机是光刻工艺的核心设备。 提升光刻机分辨率路径：更短波长和增大数值孔径。更短波长光源推动光刻机分辨率不断提升。使用i-line光源的ASML光刻机，最高分辨率可达220nm。Kr-F（248nm）和Ar-F（193nm），将分辨率进一步提升至110nm（Kr-F） 和65nm（Ar-F）。EUV，光刻分辨率达到了8nm。增大数值孔径可以提升分辨率，浸没式系统突破了DUV光刻机0.93的数值孔径，将DUV分辨率提升到38nm以下。 全球市场规模超300亿美金，ASML一家独大。根据中商产业研究院估计，光刻机占半导体设备比例约24%上下，由此预估2024全球光刻机市场规模约为315亿美元。出货角度，光刻机