中邮证券：北方华创（002371）-深硅刻蚀受益HBM持续扩产

北方华创(002371) 投资要点 2.5D和3D封装技术作为突破集成电路发展制程瓶颈的关键，TSV（硅通孔）关键工艺拉动二十余种设备发展。近年人工智能迅猛发展，2.5D和3D封装技术革新了芯片互联方式，成为突破集成电路发展制程瓶颈的关键。3DIC封装如HBM（高带宽内存）和2.5D封装技术如CoWoS被广泛应用并加速发展，拉动集成电路装备产业高质量发展。TSV技术作为先进互联方式，在HBM和CoWoS中起着至关重要的作用，就TSV制造流程而言，以2.5Dinterposer为例，其制造流程可以分为三大部分：TSVprocess-VialastorViamiddle（TSV孔的制造）、Frontsideprocess-DualDamasceneprocess（正面制程-大马士革工艺）以及Backsideprocess-CuExpose&RDLprocess（背面制程-露铜刻蚀和再布线层制程）。每个部分具体环节对应不同设备及不同指标。TSV生产流程涉及到深孔刻蚀、PVD、CVD、铜填充、微凸点及电镀、清洗、减薄、键合等二十余种设备，其中深孔刻蚀、气相沉积、铜填充、清洗、CMP去除多余的金