中航证券：半导体：从“第一性原理”出发，解读特斯拉减少碳化硅用量

事件点评事件：特斯拉投资者说明会在3月1日举行，会上表示，为了实现更具规模化的新能源汽车生产，特斯拉的下一代驱动单元将减少75%的碳化硅（75%reductioninsiliconcarbide），作为合计降低1000美金成本的手段之一。碳化硅芯片面积减少是技术发展的结果，利于降低成本碳化硅器件制造成本中，约47%为衬底材料，从马斯克“第一性原理”出发，减少碳化硅用量最根本的方法为减少碳化硅芯片面积。基于工艺的进步和设计的优化，SiCMOSFET性能逐代提升，单位导通电阻值需要的芯片面积将越来越小。比导通电阻值（Ron，sp）是评价单极型功率器件性能的重要指标，其物理意义为器件导通电阻乘以芯片有源区（有效导通区域）面积，数值越小表示技术水平越高，即相同导通电阻值产品所需的芯片面积越小。据特斯拉碳化硅器件供应商意法半导体，2014至2022年，意法的SiCMOSFET已选代至第四代，较第一代产品的面积减少约80%，并且，意法正在设计沟槽栅SiCMOSFET，沟槽栅设计能够进一步降低碳化硅芯片导通电阻，从而能以更小尺寸的芯片达到相同的使用能效。特斯拉的动力工程副总ColinCampbell