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首创证券:电子行业简评报告:斯达半导增发过会,IDM模式布局新能源车市场.pdf |
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核心观点斯达半导35亿非公开过会,IDM模式布局高压IGBT及SiC芯片。2021年9月24日,斯达半导发布公告,公司非公开发行A股股票申请获得证监会发审委审核通过。本次非公开增发拟募集资金不超过35亿元,主要用于高压IGBT芯片、SiC芯片的研发及生产,以及功率半导体模块生产线自动化改造。具体来看:(1)15亿用于高压IGBT芯片研发及产业化。完工后6寸高压IGBT产能预计将达30万片/年。高压IGBT主要用于智能电网、轨道交通、风力发电等领域。(2)5亿用于SiC芯片研发及产业化。达产后6寸SiC芯片产能预计将达6万片/年。SiC是目前主流的第三代半导体芯片,被广泛应用于新能源汽车等新兴高端行业市场。(3)7亿用于功率半导体模块生产线自动化改造。完工后预计新增产能400万块/年。(4)8亿用于补充流动资金。IDM模式更有利于开拓新能源车市场。安全等级较高的整车厂对芯片的寿命、可靠性以及失效率要求较高,芯片需经过多轮筛选及测试才能拿去封装。封装后的模块仍要经过严格测试才能出货给整车厂。IDM模式相较于Fabless能够保证整车厂从芯片生产的源头上把控芯片质量,从而确保整车安全。因此,
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