光大证券：第三代半导体系列报告之二：政策红利，衬底破局

核心观点第三代半导体大势所趋，新能源汽车为其带来巨大增量：第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。新能源汽车为SiC的最重要下游领域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等，根据Yole数据，SiC功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金，CAGR约51%。碳化硅基氮化镓外延射频器件将从2018年的6亿美金增加到2027年的34亿美金。碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，CAGR达44%。目前CREE等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。国内厂商碳化硅衬底产品均以4英寸为主，6英寸正在逐步实现量产。天科合达、露笑科技、三安光电等厂商主要生产导电型碳化硅衬底，山东天岳主要生产半绝缘型碳化