东海证券：电子行业周报：半导体高能氢离子注入技术突破，存储模组价格承压

投资要点： 电子板块观点：我国全面掌握功率芯片高能氢离子注入技术，又一“卡脖子”环节得到解决，打破半导体离子注入设备和工艺的国外垄断；目前存储模组库存水位较高，叠加消费电子需求复苏不及预期，价格或将有所承压，进一步影响模组厂毛利率水平；当前电子行业供需处底部平衡回暖阶段，行业估值处于历史低位，建议关注AIOT、AI驱动、设备材料、消费电子周期筑底板块四大投资主线。 我国全面掌握功率芯片高能氢离子注入技术，又一“卡脖子”环节得到解决，打破国外垄断。近日，国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心暨国家电力投资集团公司下属核力创芯（无锡）科技有限公司完成了首批高能氢离子注入芯片产品交付，产品性能指标比肩国际先进水平，表明我国全面掌握功率芯片高能氢离子注入技术，解决了我国功率芯片产业链关键“卡脖子”的一环。目前国内首条功率芯片高能氢离子注入生产线已建成投运，实现100％技术自主和装备零部件国产化，并完成首批800片芯片交付，且首批交付的芯片经历了累计近1万小时的工艺和可靠性测试验证。功率芯片广泛应用于军工、新能源、航空航天、轨道交通、特高压输变电等领域，是电力电子设备的核心，而离子注入