深圳市闪存市场资讯：2024-2025年全球存储市场趋势白皮书

3D NAND通过横向拓展和垂直堆叠以及架构优化，持续改善存储密度。尤其在人工智能、大数据和云存储等应用场景，高密度NAND Flash凭借其高性能、低功耗及更优的成本等综合优势，为高性能运算提供重要的存力支持。在消费类市场，高密度存储顺应电子元器件轻薄化趋势，为智能手机和笔电提供了更薄更轻量化的设计支持，推动多折叠手机及超轻量笔电的发展。随着NAND Flash进入200层以上超高层时代，高纵横比刻蚀和沉积的工艺复杂性增加。即便在双堆栈架构下，单次也需要刻蚀更深的孔，高层NAND Flash发展面临着高层数易错位和沟道刻蚀偏离的挑战，并且随着多晶硅通道总电阻增加，通道高度也对读取电流构成了阻碍。因此，越来越多存储原厂不再一味追求垂直堆叠的高层NAND，而是通过横向拓展多层存储孔密度、逻辑拓展单元存储比特，以及采用双晶圆键合架构，整体实现更优的NAND存储密度和读写性能。