华安证券：半导体深度报告：先进封装加速迭代，迈向2.5D／3D封装

先进封装向着小型化和高性能持续迭代 在以人工智能、高性能计算为代表的新需求驱动下，先进封装应运而生，发展趋势是小型化、高集成度，历经直插型封装、表面贴装、面积阵列封装、2.5D/3D封装和异构集成四个发展阶段。先进封装开辟了More-than-Moore的集成电路发展路线，能够在不缩小制程节点的背景下，仅通过改进封装方式就能提升芯片性能，还能够打破“存储墙”和“面积墙”。先进封装属于中道工艺，包括清洗、溅射、涂胶、曝光、显影、电镀、去胶、刻蚀、涂覆助焊、回炉焊接、清洗、检测等一系列步骤，关键工艺需要在前道平台上完成。 由单芯片封装向多芯片封装发展，聚焦关键工艺 典型封装技术包括：1）倒片封装（Flip-Chip）：芯片倒置，舍弃金属引线，利用凸块连接；2）扇入型/扇出型封装（Fan-In/Fan-Out）：在晶圆上进行整体封装，成本更低，关键工艺为重新布线(RDL)；3）2.5D/3D封装：2.5D封装中芯片位于硅中介层上，3D封装舍弃中介层，进行多芯片堆叠，在基板上方有穿过芯片的硅通孔（TSV）；4）SiP封装：将多个子芯片异构集成，缩短开发时间、提高良率；5）Chiplet：多颗具