民生证券：光刻机动态跟踪：国产ArF光刻机首台套突破，解读设备工艺参数

工信部推广国产“首台套”ArF光刻机。9月2日，工信部印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，其中在“电子专用装备”类目中包含氟化氪（KrF）光刻机、氟化氩（ArF）光刻机两类产品。本次入选意味着国产KrF、ArF光刻机均已实现技术突破，可用于市场推广。其中，较为先进的ArF光刻机可实现≤65nm分辨率，≤8nm套刻精度。 解读光刻机参数与制程节点的对应关系： 1）分制程节点如何命名？ 制程节点的命名早期来自晶体管的关键尺寸。例如500nm制程节点的晶体管Half-Pitch与GateLength均为500nm。但随着制程演进，实际的晶体管尺寸已经与命名产生差异，需要考虑的是光刻机分辨率与实际尺寸之间的关系。 2）光刻机分辨率 光刻机分辨率很大程度上取决于光源波长，波长越短，分辨率越高。当前主流的i-line光刻机可实现350nm的分辨率，KrF光刻机可实现150nm分辨率，ArF光刻机可实现65nm分辨率，ArF浸没式光刻机可实现38nm分辨率。 3）光刻机的套刻精度 套刻精度指的是每一层光刻图案与上一层光刻图案对准的平面误差范围，与光刻机的分辨率共同决定了能