华金证券：半导体材料行业快报：KrF、ArF光刻胶将为兵家必争之地，中高端光刻胶国产替代任重道远

事件点评集微网消息，美国时间7月14日晚9点30分左右，光刻胶供应商陶氏化学（DowsChemical）位于路易斯安那州的普拉克明工厂发生爆炸。光刻胶品种众多，依据工艺条件选取相应品种。光刻胶能够利用光化学反应，经过曝光、显影等光刻工艺，将所需微细图形从掩模版转移到待加工基片上。半导体光刻胶使用主要取决于制程，通常越先进制程相应需要使用越短曝光波长光刻胶，以达到特征尺寸微小化。G/I线、KrF光刻胶均为成熟制程用光刻胶，G/I线光刻胶主要用于高压汞灯光源光刻工艺，对应工艺制程为350nm及以上；KrF光刻胶主要用于KrF激光光源光刻工艺，对应工艺制程250-150nm；ArF光刻胶主要用于DUV光刻工艺，可用于130-14nm芯片工艺制程，其中干法主要用于130-65nm工艺，浸没式主要用于65-14nm工艺。高端光刻胶需求增加，国内外厂商将逐鹿KrF、ArF光刻胶。摩尔定律趋近极限，半导体制造制程进步使得所对应光刻加工特征尺寸（CD）不断缩小，配套光刻胶也逐渐由G线(436nm)→I线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)方向转移，从而满足IC