德邦证券：半导体：SK海力士HBM3E良率已接近80%，HBM供不应求

投资要点： 事件：5月21日，SK海力士高层KwonJae-soon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%。 SK海力士HBM3E良率接近80%，HBM供不应求。SK海力士高层KwonJae-soon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%。他强调SK海力士今年重点是生产8层堆叠HBM3E。SK海力士CEO郭鲁正5月2日宣布，公司HBM今年已经全部售罄，明年也基本售罄，并且预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品，并准备在第三季度开始量产。同时，美光CEOSanjayMehrotra也表示HBM产能今年已经全部售罄，并且预计其HBM产品在第三财季可为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。 HBM具有高带宽+高容量+低延时+低功耗的特点，先进封装将核心受益。HBM是将多个DDR芯片堆叠在一起后，再和GPU封装合成，通过增加带宽，扩展内存容量，组成DDR组合阵列，以此实现让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案所带来的延迟。与传统DRAM芯片相比，HBM具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度。