华鑫证券：3DDRAM行业专题报告：3DDRAM时代或将到来，国产DRAM有望迎来变革契机

投资要点 DRAM技术工艺逐渐步入瓶颈期，3DDRAM应运而生 随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺也逐渐步入瓶颈期。目前DRAM芯片工艺已到10nm级别，尽管10nm还不是DRAM的最后极限，但多年来随着DRAM制程节点不断缩小，工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰等方面的挑战愈发明显，要在更小的空间内实现稳定的电荷存储和读写操作变得日益困难。3DNANDFlash早已实现商业化应用，3DDRAM技术尚在研发中，但随着AI浪潮，大容量、高性能存储器需求将大幅增加，3DDRAM有望成为存储器市场的主流产品。 存储巨头纷纷布局3DDRAM技术，产业生态或迎变局 2024年3月，三星在加州举行的Memcon2024会议上公布了其3DDRAM开发路线图，并计划在2025年推出基于其垂直通道晶体管技术的早期版本的3DDRAM。海力士在VLSI2024会议上公布了其五层堆叠的3DDRAM产品，生产良率已达56.1%。美光则在2019年就开始了3DDRAM的研究工作。存储巨头纷纷布局3DDRAM技术，产业生态或迎变局。 3DDRAM正处产业化前期，成长空间极大，给予3DDRAM行业投资评级：推