国金证券：电子行业研究：800V时代到来，碳化硅迎来甜蜜时刻

投资建议 目前电动汽车电压平台主流是400-500V，存在里程焦虑及充电速度慢的问题，电动汽车800V高压系统+超级快充，可以实现充电10分钟，续航300公里以上，能有效解决解决充电及续航焦虑，有望成为主流趋势。SiC材料特性使得MOSFET结构轻松覆盖650V-3300V，导通损耗小；同时，90%的行车工况是在主驱电机额定功率30%以内，处于碳化硅的高效区；另外，SiC主驱使得电源频率和电机转速增加，相同功率下转矩减小，体积减小；主驱控制器用SiCMOSFET的800V平台车型总体节能5%-10%。SiCMOSFET是800V高压系统功率半导体的较佳选择，目前已发布或即将发布的800V高压系统方案大部分都选择采用SiCMOSFET。对于超级快充，最好的办法是采用800V的平台，用800V的超级快充时，要求充电桩电源模块的功率要扩容到40kW/60kW，全SiC的方案效率则可以提高2%。800V高压系统将带动主驱逆变器、车载OBC、DC-DC、PDU、超充、快充电桩开始大规模应用碳化硅，碳化硅迎来甜蜜时刻。Yole预测，2026年整个碳化硅功率器件的市场规模有望达到50亿美元，其中60