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首创证券:电子行业简评报告:小于1nm新工艺,有望绕开EUV光刻机限制.pdf |
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核心观点
小于1nm新工艺问世
根据2024年7月3日发表于《NatureNanotechnology》的文章《Integrated1Depitaxialmirrortwinboundariesforultrascaled2DMoS2field-effecttransistors》,可以实现宽度小于1nm的一维金属材料在二维电路中应用,作为超小型二维晶体管的栅极电极。该成果标志着下一代半导体及基础材料科学的重大突破。文章的研究团队成功开发出宽度小于1nm的一维金属材料,并将其创新性地应用于二维电路的开发中,这一壮举不仅是对传统半导体技术的巨大挑战,更是对摩尔定律未来走向的重新定义。
实现小于1nm(0.4nm)的一维(1D)栅极
该研究团队发现外延MTBs电路在长度尺度上是一维金属性的。通过利用终极一维(1D)特性(宽度约为0.4纳米,长度可达数十微米),可将外延MTBs作为一维(1D)栅极来构建集成的二维场效应晶体管(FETs)。经过验证,一维(1D)MTB栅极能够将耗尽通道长度缩小至3.9纳米,从而在较低的门电压下显著降低通道关闭电流。
有望绕开EUV光刻机限制
随着晶体管栅极尺寸
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