华金证券：半导体设备系列报告之光刻机：走进“芯”时代系列深度之八十四“光刻机”，国产路漫其修远，中国芯上下求索

光源、数值孔径、工艺系数、机台四轮驱动，共促光刻产业升级。分辨率由光源波长、数值孔径、光刻工艺因子决定.（1） 光源波长（λ）——光源：其他条件不变下，光源波长越短，光刻机分辨率越高。在EUV光源方面：LLP光源较为稳定，且 碎屑量较低，适用于大规模量产。高功率、转换效率为EUV光刻必要条件。液滴Sn靶易于操控，转换效率较高。加入预脉冲 可以极大提高CE，双脉冲成为主流。Cymer与Gigphoton几乎垄断全球激光光刻机光源产业，科益虹源弥补技术空白。稳态 微聚束(SSMB)为极紫外光的产生提供新方法，有望实现弯道超车；（2）数值孔径（NA）——物镜：其他条件不变下，数值 孔径越大，光刻机分辨率越高。从“双腰”到“单腰” ，引入非球面镜片改变物镜结构。折反式使用较少光学元件实现更 大数值孔径并实现场曲矫正