国盛证券：电子行业周报：价格迎来甜蜜点，SiC应用驶入快车道

技术进步，产品迭代结构持续优化。自Wolfpseed在2011年推出业内首款SiCMOSFET以来，过去十年受限于SiC电力电子器件价格、晶圆质量、工艺技术等限制，始终没有被下游大规模广泛使用。当前在技术层面，SiC衬底位错密度下降，SiC功率晶体设计不断迭代，产品性能，可靠性持续提升；主流晶圆尺寸由4英寸向6英寸过渡，领先厂商已经在大力扩产8英寸，主流产品从SiC二极管转变为SiCMOSFET。SiC成本下降迎来价格甜蜜点，下游应用市场快速打开。成本层面，SiC电力电子器件价格进一步下降，根据CASA，Mouser，从公开报价来看，1200VSiCSBD与同类Si器件的差距约4.5倍。根据CASA调研，1200VSiCSBD实际成交价与Si器件价差已缩小至2-2.5倍之间，已经达到了甜蜜点。若考虑系统成本（周边的散热、基板等）和能耗等因素，SiC产品已经具备一定竞争力，随着产业链技术更加成熟和产能不断扩充，未来在下游新能源汽车、光伏逆变、消费类电子等市场应用有望加速渗透。汽车电子驱动SiC需求，我们测算2025年汽车逆变器需求弹性中枢可带来59~65亿美元市场！新能源汽车高速发展，成