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国盛证券:电子行业周报:台积电引领创新,半导体剪刀差加大

发布者:wx****f3
2021-01-18
2 MB 18 页
国盛证券 半导体
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国盛证券:电子行业周报:台积电引领创新,半导体剪刀差加大.pdf
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全球科技龙头台积电引领创新浪潮,本轮跨越式上调资本开支再超预期。复盘台积电二十年历史,基本上每十年出现一次资本开支连续大幅上调,之前分别是99~01、09~10年。并且,每次资本开支大幅上调后的三年,营收复合增速会显著超过其他年份。随着5G/IoT/AI等技术爆发,智能终端、HPC、IoT、汽车等需求快速增长,台积电从2019年开始将资本开支密度从30%附近提升至50%附近,2020年达到172亿美元,2021年进一步增加至250~280亿美元。台积电大幅上修资本开支,面向未来的创新需求,引领科技发展方向。先进制程继续加码,N3下游参与度较高,布局先进封装“超越摩尔”。N3与N5相比,逻辑密度提升70%,性能提升15%,功耗降低30%。N3进展顺利,与同期的N5和N7相比,N3的HPC和智能手机应用领域客户参与度更高,计划2021年风险试产,2022年下半年实现量产。此外,SoIC封装目标在2022年实现量产,预计未来几年内,封装业务贡献的营收增速将高于公司平均水平。半导体龙头资本开支上修,全球半导体设备市场有望继续超预期。此前SEMI三度上修2020年全球半导体设备市场预期达650亿

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