英飞凌infineon：2020年英飞凌如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性白皮书：

Si℃ 能作为功率器件原材料的原因之一是,它能借用硅器件的许多著名概念和工艺技术,其中包括基本的器件设计，如垂直型肖特基二极管或垂直型功率 MOSFET(对JFET和 BJT 进行一些改进后获得的替代结构)。因此，用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到 Si℃ 上。但更深入的分析表明，基于Si℃ 的器件还需要进行一些不同于 Si器件的额外可靠性试验。有必要进行这些测试的项目包括材料本身及其具有的特定缺陷结构、各向异性、机械性能和热性能等更大的带隙及其对 MOS器件的界面陷阱密度和动力特性的影响材料本身及外部界面--如器件边缘(包括新边缘端设计)--最多增强 10 倍左右的运行电场，以及这对氧化层寿命的影响高压运行(Vos>1000 V)与快速开关(>50 V/ns)相结合的新运行模式