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德州仪器：2024三相集成GaN技术如何更大限度地提高电机驱动器的性能白皮书

发布者：wx****1e
2024-08-20
1 MB 7 页
能源
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德州仪器：2024三相集成GaN技术如何更大限度地提高电机驱动器的性能白皮书.pdf
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目前，逆变器多使用绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 作为电源开关来实现，但由于总体损耗较高，开关频率和电力输送受到限制。随着宽带隙技术的进步，在电机驱动器中使用基于氮化镓 (GaN) 的电源开关有助于提高功率密度、电力输送能力和效率。


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