民生证券：存储器行业专题研究：双墙阻碍算力升级，探讨四大新型存储应用

传统存储难破双墙阻碍，智联时代新型存储应运而生。AIoT、5G、智能汽车等新兴应用场景对数据存储在容量、速度、功耗、成本、可靠性等层面提出更高要求。但CPU与存储芯片间的“性能墙”与各级存储芯片间的“存储墙”成为限制传统存储器应用于新兴领域的两座难关。基于材料介质改造或技术升级的PCRAM、MRAM、ReRAM和FeRAM四大类新型存储，或将成为未来存储器的发展趋势之一。模糊外存和主存界限，PCRAM产业化面临障碍。PCRAM（相变存储器）通过改变温度实现相变材料电阻变化，以此为基础存储数据信息。PCRAM目前无物理极限，厚度2nm的相变材料可以实现存储功能，因此可能解决存储器工艺的物理极限问题，成为未来通用的新一代半导体存储器件之一。国际厂商英特尔先后与三星、美光合作开展PCRAM研发，国内厂商时代全芯也已掌握研发、生产工艺和自主知识产权。但PCRMA对温度的高敏感度、存储密度过低、高成本、低良率等问题限制其大规模产业化，2021年美光宣布停止基于3DXPoint技术产品的进一步开发。MRAM产品进入量产，eMRAM替代SRAM空间大。MRAM（磁存储器）的基本单位为磁隧道结（MTJ