华金证券：半导体：HBM加速迭代叠加美国限制出口，国产自主可控重要性日益凸显

投资要点 根据《韩国经济新闻》12月4日报道，SK海力士将于25H2采用台积电3nm生产HBM4。 SK海力士改采台积电3nm生产HBM4，HBM4E将引入混合键合技术 根据《韩国经济新闻》12月4日报道，SK海力士将于25H2以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽内存HBM4；最快将于2025年3月发布一款采用台积电3nm制程生产的基础裸片的垂直堆叠HBM4原型，主要出货的客户为英伟达。三星同样预计在25H2提供HBM4样品，批量生产计划在26财年。产能方面，根据CFM数据，至2024年底三星、SK海力士和美光合计HBM月产能将达30万片，其中三星HBM增产最为激进；预计2025年全球HBM市场规模将上看300亿美元，HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20%。 HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片，而HBM4基础裸片将采用台积电3nm的先进逻辑工艺，以推动性能和能效进一步提升。此外，随着HBM堆叠层数逐渐增加，存储厂商正积极推动在HBM4中引入无助焊剂键合技术，以进一步缩小DRAM堆叠间距；其中，美光动作最为积极，已开始与合作伙伴测试新制程，SK海力士正