中信建投证券：半导体材料系列：第三代半导体碳化硅行业前瞻

碳化硅性能优势突出，市场规模快速成长 碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件，随着下游需求爆发，2022-2026 年SiC 器件的市场规模将从 43 亿美元提升到 89 亿美元，复合增长率为 20%，对应的 SIC 衬底市场规模讲从 7 亿美元增长到 17 亿美元，复合增长率为 25%。 需求：下游产业链应用爆发，SiC 市场需求红利释放 我们把 SiC 器件发展分为三个发展阶段：2019-2021 年为初期，2022-2023 年为拐点期，2024-2026 年为爆发期。SiC 随着在新能源汽车、充电基础设施、5G 基站、工业和能源等应用领域展开，需求迎来爆发增长，其中，能源汽车是 SIC 器件应用增长最快的市场，预计 2022-2026 年的市场规模从 16 亿美元到 46 亿美元，复合增长率为 30%。 供给：短期产业链受限衬底产能，长期产能扩张带来价格下降碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%