首创证券：电子行业简评报告：新型芯片绝缘材料有望突破国际半导体技术制裁

核心观点 事件：我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料，这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1纳米时，也能有效阻止电流泄漏。2024年8月7日，相关成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystallinemetal-oxidedielectricsfortop-gate2Dtransistors）为题，发表于国际学术期刊《自然》。 传统芯片栅介质材料厚度到纳米级别后，绝缘性能下降。 二维集成电路是一种新型芯片，用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料构建，有望突破传统芯片的物理极限。但由于缺少与之匹配的高质量栅介质材料，其实际性能与理论相比尚存较大差异。传统的栅介质材料在厚度减小到纳米级别时，绝缘性能会下降，进而导致电流泄漏，增加芯片的能耗和发热量。 上海微系统与信息技术研究所的“原位层氧化技术”改变栅介质。 原位插层氧化技术的核心在于精准控制氧原子一层一层有序嵌入金属元素的晶格中。 第一步以锗基石墨烯晶圆作为预沉积衬底生长单晶金属铝，利用石墨烯与单晶金属